NVD5802NT4G

功能描述:MOSFET DPAK 3W SMT PBF

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:650 V

闸/源击穿电压:25 V

漏极连续电流:130 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms

配置:Single

最大工作温度:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Max247

封装:Tube

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